RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
96
Wokół strony -210% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1997
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link