RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
60
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
60
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2354
2359
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link