RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
3465
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link