RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.2
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3341
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link