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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
94
Por volta de -213% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
6400
Por volta de 3.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
30
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
12.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
23400
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
2709
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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