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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
34
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
34
Velocidade de leitura, GB/s
14.0
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2330
2789
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparações de RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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