RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Comparar
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de -3% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.8
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
8.9
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3019
2909
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link