RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Comparar
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Pontuação geral
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
56
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
1,925.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
43
Velocidade de leitura, GB/s
4,315.2
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,925.7
13.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
658
2776
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparações de RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link