RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Comparar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
52
Por volta de -2% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
1,145.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
4200
Por volta de 6.1 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
51
Velocidade de leitura, GB/s
2,614.5
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,145.9
11.8
Largura de banda de memória, mbps
4200
25600
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
409
2687
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link