RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
66
Por volta de -78% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.6
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
37
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
7.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
2082
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link