RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
66
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
56
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
8.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
2235
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link