RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Comparar
AMD AE34G1601U1 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Pontuação geral
AMD AE34G1601U1 4GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD AE34G1601U1 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
67
Por volta de -179% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
3.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
67
24
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
3.6
8.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
998
2326
AMD AE34G1601U1 4GB Comparações de RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link