RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Comparar
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Pontuação geral
AMD R5316G1609U2K 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R5316G1609U2K 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
71
73
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
6.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
5.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
71
Velocidade de leitura, GB/s
6.3
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1309
1799
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparações de RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link