RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Comparar
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Pontuação geral
AMD R5316G1609U2K 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R5316G1609U2K 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
73
Por volta de -192% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
6.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
5.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
25
Velocidade de leitura, GB/s
6.3
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1309
3187
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparações de RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link