RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Comparar
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Pontuação geral
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
38
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
11.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2099
3001
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CM3B8G2D1600K11S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link