Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Pontuação geral
star star star star star
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    17 left arrow 39
    Por volta de 56% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    22.8 left arrow 8.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    15.4 left arrow 6.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 10600
    Por volta de 1.81 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    17 left arrow 39
  • Velocidade de leitura, GB/s
    22.8 left arrow 8.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    15.4 left arrow 6.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    3391 left arrow 1842
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações