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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Pontuação geral
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
37
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.7
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
25
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
16.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1683
3845
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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