RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Comparar
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Pontuação geral
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.4
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
27
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
17.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1683
3845
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link