RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Comparar
Corsair VS1GB800D2 1GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Corsair VS1GB800D2 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair VS1GB800D2 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
47
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
1,361.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,680.7
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,361.1
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
460
3082
Corsair VS1GB800D2 1GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link