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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Comparar
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
34
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.2
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
11.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2636
2690
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparações de RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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