Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Pontuação geral
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    23 left arrow 25
    Por volta de 8% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.6 left arrow 13.6
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.9 left arrow 9.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 10600
    Por volta de 1.81 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    23 left arrow 25
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.6 left arrow 14.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.4 left arrow 9.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2096 left arrow 2427
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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