RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
41
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.3
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
17.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2366
3938
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link