RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Comparar
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Pontuação geral
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
23
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
17
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
18
23
Velocidade de leitura, GB/s
20.5
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
16.4
13.2
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3530
2935
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/4GX 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link