RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.7
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
15.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3832
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Elpida EBJ20UF8BCS0-DJ-F 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link