RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Comparar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
38
Por volta de 32% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2283
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link