RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
32
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
9.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
32
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
11.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
9.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2735
2386
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link