RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
35
Por volta de -94% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.7
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
18
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
20.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
16.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2405
3722
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link