RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
34
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
11.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
27
Velocidade de leitura, GB/s
16.8
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.3
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2968
3692
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link