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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Pontuação geral
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
32
Por volta de 34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
12.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
21
32
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
11.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.2
12.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3130
2804
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparações de RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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