RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Comparar
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
24
19.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
20.0
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de -4% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
28
Velocidade de leitura, GB/s
24.0
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
20.0
16.6
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
4156
3804
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB Comparações de RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link