RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Comparar
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Pontuação geral
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
41
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR5
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
41
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
15.7
10.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3867
2621
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
INTENSO M418039 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link