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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
49
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.6
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
2,066.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
8.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2286
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
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