RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
34
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
30
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
17.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1682
3860
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link