RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
43
Por volta de 35% menor latência
Razões a considerar
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
43
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
15.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
3282
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link