RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
17.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2177
3936
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link