RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
24
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2517
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link