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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.2
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
24
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
16.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
4032
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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