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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
34
Por volta de 15% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3447
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
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