RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
18.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3847
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB Comparações de RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link