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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
36
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
8.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
14200
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
36
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
11.0
Largura de banda de memória, mbps
14200
21300
Other
Descrição
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2458
3009
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB Comparações de RAM
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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