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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
62
65
Por volta de 5% menor latência
Razões a considerar
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
65
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
8.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2041
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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