RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
62
Por volta de -94% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
32
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
15.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
3672
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F3-19200C10-8GBZHD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link