RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
62
67
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
67
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
1798
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link