Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB vs AMD R334G1339U2S 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Pontuação geral
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AMD R334G1339U2S 4GB

AMD R334G1339U2S 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    28 left arrow 29
    Por volta de 3% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    10.5 left arrow 9
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.4 left arrow 4.8
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    28 left arrow 29
  • Velocidade de leitura, GB/s
    10.5 left arrow 9.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.4 left arrow 4.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1570 left arrow 1726
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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