Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Pontuação geral
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB

V-GEN D4H8GS24A8 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    66 left arrow 92
    Por volta de 28% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 15.1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.2 left arrow 1,433.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 5300
    Por volta de 3.62 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    66 left arrow 92
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,234.7 left arrow 15.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,433.1 left arrow 8.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    462 left arrow 1640
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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