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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Pontuação geral
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
66
92
Por volta de 28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
1,433.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
92
Velocidade de leitura, GB/s
3,234.7
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,433.1
8.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
462
1640
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB Comparações de RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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