RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
65
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
39
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
13.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2808
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link