RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
65
Por volta de -195% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
14.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
3255
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link