RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
65
Por volta de -97% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
10.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
1967
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology ADOVF1A083FE 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link