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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
65
Por volta de -86% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
12.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
3221
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
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