RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
65
Por volta de -51% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
43
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
7.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2128
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link